logo
বার্তা পাঠান
LINK-PP INT'L TECHNOLOGY CO., LIMITED
পণ্য
পণ্যের বিবরণ
বাড়ি > পণ্য > POE LAN ট্রান্সফরমার > 749052012 হাই স্পিড 10G ল্যান ট্রান্সফরমার 1500V আইসোলেশন ভোল্টেজ

749052012 হাই স্পিড 10G ল্যান ট্রান্সফরমার 1500V আইসোলেশন ভোল্টেজ

পণ্যের বিবরণ

Place of Origin: GuangDong, China

পরিচিতিমুলক নাম: LINK-PP

সাক্ষ্যদান: RoHS, REACH

Model Number: 749052012

পেমেন্ট এবং শিপিং শর্তাবলী

Minimum Order Quantity: 100pcs

মূল্য: Negotiable & Discount

Packaging Details: Packaging Quantity : 20 Packaging Method : Box & Tray, Tray

Delivery Time: Ships within 15 days

Payment Terms: T/T, L/C, Western Union

Supply Ability: 6000K-PCS/Month

সেরা মূল্য পান
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

PoE+ ট্রান্সফরমার

,

749052012

,

১০জি এসএমটি ট্রান্সফরমার

Transformer Type:
SMT Transformer
ডেটা রেট:
10G বেস-টি
PoE:
PoE+ (up to 600 mA)
অপারেটিং তাপমাত্রা:
0 থেকে +70 °C পর্যন্ত
Improved CMRR:
NO
লম্বা:
13.97 মিমি
Width:
15.11mm
Height:
6.6mm
Transformer Type:
SMT Transformer
ডেটা রেট:
10G বেস-টি
PoE:
PoE+ (up to 600 mA)
অপারেটিং তাপমাত্রা:
0 থেকে +70 °C পর্যন্ত
Improved CMRR:
NO
লম্বা:
13.97 মিমি
Width:
15.11mm
Height:
6.6mm
749052012 হাই স্পিড 10G ল্যান ট্রান্সফরমার 1500V আইসোলেশন ভোল্টেজ

749052012 PoE+ ট্রান্সফরমার মূল বৈশিষ্ট্যঃ

  • 10GBASE-T ইথারনেট 10 গিগাবাইট / সেকেন্ড পর্যন্ত ডেটা রেট সমর্থন করে
  • PoE+ সামঞ্জস্যপূর্ণ, উচ্চ-শক্তি নেটওয়ার্ক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ
  • বিস্তৃত অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমাঃ 0°C থেকে +70°C
  • স্থান সাশ্রয়কারী পিসিবি লেআউটগুলির জন্য কমপ্যাক্ট এসএমটি ডিজাইন
  • 10G ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড জুড়ে কম সন্নিবেশ ক্ষতি এবং উচ্চতর রিটার্ন ক্ষতি
  • আইসোলেশন ভোল্টেজঃ 1500V RMS উন্নত সুরক্ষার জন্য
  • IEEE 802.3an এবং IEEE 802.3at স্পেসিফিকেশনের সাথে সম্পূর্ণরূপে সামঞ্জস্যপূর্ণ
  • RoHS এবং REACH-এর সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, হ্যালোজেন মুক্ত নির্মাণ

749052012 10G ট্রান্সফরমারের বৈদ্যুতিক স্পেসিফিকেশনঃ

পার্ট নম্বর 749052012
পণ্য সিরিজ ১০জিল্যান ট্রান্সফরমার
অবস্থা সক্রিয়
পিন 24
পিওই সমর্থন PoE+
বর্তমান রেটিং ৬০০ এমএ
ঘূর্ণন অনুপাত 1১ ± ২%@১০০ কিলোহার্টজ/১০০ এমভি
ইন্ডাক্ট্যান্স (ওসিএল) 120 μH @ 100kHz / 100mV, 8mA DC Bias
সন্নিবেশ ক্ষতি (((আইএল) ≤-৩.০ ডিবি @১০০ কিলোহার্টজ ∙ ১ মেগাহার্টজ
সন্নিবেশ হ্রাস(আইএল) ≤-১.০ ডিবি @১ মেগাহার্টজ ∙ ২৫০ মেগাহার্টজ
সন্নিবেশ ক্ষতি (((আইএল) ≤-৩.০ ডিবি @২৫০ মেগাহার্টজ ∙ ৫০০ মেগাহার্টজ
রিটার্ন লস (RL) ≥-২০ ডিবি @১ ০৪০ মেগাহার্টজ
রিটার্ন লস (RL) ≥-১৬ ডিবি @১০০ মেগাহার্টজ
রিটার্ন লস (RL) ≥-১৩ ডিবি @২০০ মেগাহার্টজ
রিটার্ন লস (RL) ≥-১১.২ ডিবি @২৫০ মেগাহার্টজ
রিটার্ন লস (RL) ≥ -১০ ডিবি @৪০০ মেগাহার্টজ
রিটার্ন লস (RL) ≥-৮ ডিবি @ ৫00 মেগাহার্টজ
ডিফারেনশিয়াল মোড প্রত্যাখ্যানের জন্য সাধারণ(সিডিএমআর) ≥-৩৫ ডিবি@১ মেগাহার্টজ ∙ ১০০ মেগাহার্টজ
ডিফারেনশিয়াল মোড প্রত্যাখ্যানের জন্য সাধারণ(সিডিএমআর) ≥-৩০ ডিবি @১০০ মেগাহার্টজ ∙ ৩০০ মেগাহার্টজ
ডিফারেনশিয়াল মোড প্রত্যাখ্যানের জন্য সাধারণ(সিডিএমআর) ≥ -২৫ ডিবি @ ৩০০ মেগাহার্টজ ∙ ৫০০ মেগাহার্টজ
সাধারণ মোড প্রত্যাখ্যান অনুপাত (সিএমআরআর) ≥-৩৫ ডিবি@ ১ মেগাহার্টজ ∙ ১০০ মেগাহার্টজ
সাধারণ মোড প্রত্যাখ্যান অনুপাত (সিএমআরআর) ≥-৩০ ডিবি @ ১০০ মেগাহার্টজ ∙ ২৫০ মেগাহার্টজ
সাধারণ মোড প্রত্যাখ্যান অনুপাত (সিএমআরআর) ≥ -২৫ ডিবি @ ২৫০ মেগাহার্টজ ∙ ৫০০ মেগাহার্টজ
ক্রসস্টক

≤-৪০ ডিবি (১ মেগাহার্টজ ০১০০ মেগাহার্টজ)

≤-৩০ ডিবি (100MHz/500MHz)

আইসোলেশন ভোল্টেজ ১৫০০ ভিআরএম
অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা 0°C থেকে +70°C

৭৪৯০৫২০১২ ডেটা-শীট-সোল্ডারিং স্পেসিফিকেশন। :

749052012 হাই স্পিড 10G ল্যান ট্রান্সফরমার 1500V আইসোলেশন ভোল্টেজ 0

 

749052012 ডেটা শীট-স্কিম্যাটিক্সঃ

749052012 হাই স্পিড 10G ল্যান ট্রান্সফরমার 1500V আইসোলেশন ভোল্টেজ 1